电子束曝光（EBL，也称之为电子束光刻）始于上世纪60年代，是正在电子显微镜的本原上开展起来的用于微电途钻研和创制的曝光技艺，是半导体微电子创制及纳米科技的枢纽装备、本原装备。电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶彼此效率，使胶由长（短）链造成断（长）链，告竣曝光，比拟于光刻机具有更高的阔别率，重要用于创制光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技艺钻研。

　　目前，活动正在科研和物业界的电子束光刻装备重要是高斯束、变形束和众束电子束，个中高斯束装备相对门槛较低，也许天真曝光任企图形，被广博操纵于本原科学钻研中，然后两者则重要任事于工业界的掩模制备中。电子束光刻的重要便宜是可能绘制低于10nm阔别率的定制图案（直接写入）。这种局势的无掩模光刻技艺具有高阔别率和低产量的特征，将其用处节制正在光掩模创制，半导体器件的小批量分娩以及钻研和斥地中。

　　我邦电子束曝光技艺是六十年代后期下手开展起来的,到七十年代,近十家从事电子束曝光技艺钻研的单元,正在北京、上海、南京分辨以大会战的体例构制了较强力气的工场、钻研所和上等院校研制。当时因为邦内缺乏本原,而电子束曝光自身又是一种众学科的归纳性技艺,几年之后,很众单元因劳动蜕化而解散了此项职责。正在2000年后电子束光刻装备研发烧度逐步消重以至一度抛弃。

　　正在《瓦森纳协定》禁止向中邦供给高本能电子束光刻装备后，邦内电子束光刻装备研发才从头被提起。正在此之前，邦内从事和指导电子束光刻装备研发的单元重要有中邦科学院电工钻研所、中邦电子科技集团有限公司第四十八钻研所、哈尔滨工业大学和山东大学等。

　　目前本能最优的邦产化电子束光刻装备包罗中邦电子科技集团有限公司第四十八钻研所正在2005年通过验收的DB-8型号电子束曝光装备，对应0.13μm的半导体例程；中邦科学院电工钻研所2000年实现的DY-7 0.1μm电子束曝光体系可加工80 nm的间隙，正在2005年交付的基于扫描电镜改装的新型纳米级电子束曝光体系，其体系阔别率可达30 nm，束斑直径6 nm。邦内电子束光刻钻研重要类型为高斯束，上述提及的装备均为高斯束类型，而正在变形束方面重要有电工所DJ-2 μm级可变矩形电子束曝光机的钻研结果，可告竣最小1 μm的线 μm区间内可调。而正在众束方面正在过去并无合联钻研，仅有电工所发展了众束的前身技艺——投影电子束曝光的钻研，装备代号为EPLDI。正在中邦科学院电工钻研所和中邦电子科技集团有限公司第四十八钻研所的牵头下，研发历程中将整机拆分为众个枢纽零部件和技艺举行阶段性攻合，包罗缜密工件台、真空体系、图形发作器、偏转和束闸等。邦内研发装备的加快电压中断正在30 kV以下，扫描速率普及不进步10 MHz，相应的拼接套刻精度均正在亚微米量级，而电子束束斑正在整机自助化研发装备中因为热发射钨电子枪和LaB6的节制中断正在几十纳米量级，满堂装备本能与外洋顶尖装备有较大的差异。

　　遵循QYResearch钻研团队调研统计，2022年环球电子束光刻体系(EBL)市集贩卖额抵达了13亿元，估计2029年将抵达22亿元，年复合伸长率（CAGR）为6.9%（2023-2029）。

　　电子束曝光（electron beam lithography）教唆用电子束正在外貌上创制图样的工艺，是光刻技艺的延长操纵。电子束光刻体系(EBL)即用于告竣电子束曝光的体系。

　　环球电子束光刻体系（Electron Beam Lithography System (EBL)）的重要列入者包罗Raith、Vistec、JEOL、Elionix和Crestec。环球前三大创制商的份额进步70%。日本是最大的市集，占领率约为48%，其次是欧洲和北美，占领率分辨约为34%和12%。就产物而言，高斯光束EBL体系是最大的细分市集，占领率进步70%。正在操纵方面，操纵最众的是工业周围，其次是学术周围。

　　RaithRaith是纳米创制、电子束光刻、FIBSEM纳米创制、纳米工程和逆向工程操纵的先辈缜密技艺创制商。客户包罗列入纳米技艺钻研和质料科学各个周围的大学和其他构制，以及将纳米技艺用于特定产物操纵或分娩复合半导体的工业和中型企业。Raith建立于1980年，总部位于德邦众特蒙德，具有进步250名员工。公司通过正在荷兰、美邦和亚洲的子公司，以及广博的团结伙伴和任事搜集，与环球紧要市集的客户密相符作。Raith重要有五款EBL产物，EBPG Plus、Voyager、RAITH150 Two、eLINE Plus和PIONEER Two。

　　EBPG Plus是一种超高本能电子束光刻体系。100kv写入形式和5 nm以下的高阔别率光刻，涵盖了各类纳米创制装备中直接写入纳米光刻、工业研发和批量分娩的广博前沿操纵。新体系集平静性，保真度和精度于一体，确保最佳的高阔别率光刻结果的全数本能参数之间的完整交互。

　　Raith VOYAGER 光刻体系行使场发射电子源，具有可变的 10-50 keV 加快电位，50 兆赫兹偏转体系具有及时动态校正和单级静电偏转效用，可正在小至 8 nm 的光刻胶中界说单线图案。激光职掌平台也许加载

　　广博行使的eLINE Plus体系是大学和钻研核心寻求通过简单众效用电子束光刻(EBL)体系拜望纳米创制操纵宽带的最佳体系。eLINE Plus的先辈光刻本原方法增援超高阔别率电子束光刻和大面积纳米加工。其它，eLINE Plus的众效用性集合了电子束光刻，纳米工程，超高阔别率和大面积SEM成像的宇宙，包罗用于计量和历程职掌的专用效用。

　　PIONEER TWO 集成了电子束曝光及成像剖析双效用，是高校和科研职员的理念拔取。从理念上，PIONEER Two是一个全新的奇特的装备，真正事理上告竣了电子束曝光和成像的EBL/SEM集合。PIONEER Two将专业电子束曝光装备和电子成像体系全数的效用统一成一套独立的成套体系。众效用性、平静性、用户友爱性操作，使PIONEER Two体系适合于不只探求纳米布局的创制及再查察效用，且须要质料及人命科学周围中对化学因素及布局举行剖析的全数效户。

　　NBL（Nanobeam）NanoBeam是一家英邦公司，建立于2002年，重要分娩高本能和高性价比的电子束光刻器械。据媒体报道，2016年，徐州博康收购了NBL落户徐州经济技艺斥地区，并将正在园区内重要分娩电子束光刻机、扫描电镜、高压电源以及电子束枪、无磁电机等高科技产物。

　　NBL的电子束光刻机线nm的工艺，合联产物已销往因英、美、德、法、瑞典、韩邦等邦度，中邦的中科院微电子所、13所、55所、北京大学等单元已引进15台。

　　Nanobeam 推出的NB5型电子束光刻机仰赖特有双偏转体系和共轭合闸，告竣正在8英寸晶圆（兼容更小尺寸，自便样子样品）的样品单次曝光制备5nm图形布局。电子束加快电压20-100kV毗连可调，束流0.2-120nA，写场拼接精度≤10nm，套刻精度≤10nm。3nm束斑直径时，束流可抵达2nA。

　　日本电子株式会社（JEOL Ltd., 董事长：栗原 权右卫门） 是宇宙顶级科学仪器创制商，建立于1949 年，总部设正在日本东京都昭岛市武藏野3丁目1番2号，其奇迹限制重要有电子光学仪器、剖析仪器、测试查抄仪器、半导体装备、工业装备、医疗仪器等创制、贩卖和研发。JEOL集团的营业包罗三个一面：科学/计量仪器、工业装备以及医疗工具。

　　JEOL的电子束曝光机产物重要有电子束光刻体系(可变矩形束电子束光刻)、电子束光刻体系(圆形电子束光刻)等 。1967年，JEOL实现JBX-2A 电子束光刻体系；1998年，JBX-9000MV 电子束光刻体系实现；2002年，JBX-3030 系列电子束光刻体系实现；2017年，与IMS配合发外宇宙首台量产化电子束光刻机并加入市集。

　　目前，JEOL的电子束曝光机产物重要包罗JBX-8100FS 圆形电子束光刻体系、JBX-3050MV 电子束光刻体系、JBX-3200MV电子束光刻体系、JBX-9500FS电子束光刻体系和JBX-6300FS电子束光刻体系。

　　JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻体系，兼具高秤谌的产出量和定位精度，最大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，适合纳米压印、光子器件、通讯装备等众个周围的研发及分娩。

　　JBX-6300FS的电子光学体系正在100kV的加快电压下能主动调动直径为（盘算值）2.1nm的电子束，轻便地描写出线nm）的图形。 其它，该光刻体系还告竣了9nm以下的场拼接精度和套刻精度，本能比杰出。诈骗最细电子束束斑（实测值直径≦2.9nm）可能描写8nm以下(实质可达5nm)极为粗糙的图形。

　　JBX-3200MV是用于创制28nm～22/20nm节点的掩模版/中心掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻体系。是基于加快电压50 kV的可变矩形电子束和步进反复式的光刻体系｡诈骗步进反复式曝光的便宜，集合曝光剂量调动效用及重迭曝光等效用，能增援下一代掩模版/中心掩模版（mask/reticle）图形创制所须要的众种抵偿。JBX-3050MV 是用于创制45nm～32nm 节点的掩模版/中心掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻体系。

　　Hitachi日立（HITACHI）是来自日本的环球500强归纳跨邦集团，1979年便正在北京建立了第一家日资企业的事宜所。日立正在中邦仍旧开展成为具有约150家公司的企业集团。

　　为更好地处理附近效应和 高加快压电子对器件的毁伤题目，低能微阵列平行电子束直写体系将有期望成为纳米光刻的最好拔取。发展这方面研发有代外性的是美邦 ETEC 公司和日本的日立公司。

　　日立推出的50 kV 电子束 （EB） 写入体系HL-800M，为 0.25 - 0.18 微米打算法规掩模创制而斥地，并取得了广博的操纵。

　　1999年12月，日立公司发布推出HL-900M系列电子束光掩模写入体系，该体系是为满意用户对高精度掩模的需求而斥地的。该体系基于HL-800M系列，引入了新的电子光学、低失真级和并行统治效用，用于统治大批数据，以告竣更高的精度和更高的含糊量。书写体系并不是告竣高级掩模的独一成分；创制工艺也很紧要，而且正在掩模创制工艺中行使化学放大抗蚀剂方面正正在得到转机。

　　HL-900M系列以150纳米或更高阔别率的高精度标线片创制为标的。该体系基于HL-800M，为了提升精度，引入了（1）高精度电子光学，（2）低失线）高精度温度职掌体系，以及（4）用于统治大要积图案数据的并行统治效用。

　　ElionixELIONIX建立于1975年，是一家从事纳米级加工与检测的中小企业。ELIONIX具有本钱金2亿7000万日元，目前共有员工100名。建立40余年，ELIONIX一心于电子束光刻、电子束硬盘刻蚀、超微质料剖析等技艺的研发，获奖众数，并成为以上技艺市集中的隐形冠军。2004年今后，ELIONIX踊跃进军海外市集，目前客户遍布于美邦，欧洲，中邦等着名大学（哈佛、麻省理工学院，清华、北大等）和大家钻研所。

　　ELIONIX的电子光刻装备也许平静且精准地职掌电子束，同时将颤抖和磁场等外部搅扰成分降到最低，电子束最细可达5纳米。ELIONIX的电子光刻装备具有着宇宙顶级秤谌，目前占领50%以上的宇宙市集份额。ELS-F125是Elionix推出的宇宙上首台加快电压达125KV的电子束曝光体系，其可加工线nm的粗糙图形。

　　ELIONIX的电子束光刻ELS系列可操纵于光集成电途、SAW元器件以及其他各类传感器上。除了电子束，ELIONIX又有离子束光刻装备。2023年，ELIONIX发外了电子束光刻体系“ELS-HAYATE”。这是最新型号，具有业界最疾的 400MHz 扫描频率和业界最大的 5mm 视场尺寸。

　　Advantest（ADVANTEST CORPORATION）是一家日本半导体装备公司，特意供给广博的半导体装备测试处理计划。该公司建立于1954年，现已成为半导体行业的领先企业之一。

　　爱德万测试（ADVANTEST）的F7000 电子束光刻体系具有高通量和超卓的阔别率，并也许正在1X-nm技艺节点的晶圆上创修极度准确和滑润的纳米图案。其字符投影、直接写入技艺使其极度适合举动研发和原型打算的打算器械，以及分娩小批量众类型装备的 LSI 分娩线 增援各类质料、尺寸和样子的基板，包罗纳米压印模板和晶圆，并针对各类操纵举行了优化，比如高级 LSIs、光子学、MEMS 和其他纳米工艺。其它，用户还可能拔取最适合其需求的设备，无论是独立设备仍是正在线 也许增援从研发到批量分娩的各类操纵。

　　IMS NanofabricationIMS建立于1985年，位于奥地利维也纳，正在2009年取得了英特尔的投资，并正在2015年最终被英特尔收购。自从被英特尔收购今后，IMS正在 2016 年发外了第一款商用众束掩模写入器MBMW-101，该产物比 EUV光刻器械精度更高，但速率极度慢，这是它们仅用于创制掩模版的一个紧要原由。

　　IMS Nanofabrication是NuFlare（东芝）的角逐敌手，但东芝的器械不太准确，并且速率较慢。其它，NuFlare的众束掩模写入器正在IMS Nanofabrication研发众年后才下手进入市集。进步90%的分娩EUV掩模是行使IMS Nanofabrication 的众光束掩模写入器创制的。即使没有IMS Nanofabrication的掩模写入器，全数EUV工艺技艺都将陷入勾留。EUV工艺技艺被用于7nm以还的全数台积电、英特尔的工艺节点。

　　2023年，英特尔公司发布出售其旗下子公司IMS Nanofabrication 20%的股权，来往金额为8.6亿美元。此次来往将使英特尔公司削减对该公司的职掌权，但仍将接续与IMS Nanofabrication连结团结联系。台积电正在9月12日的暂且董事会上发布，拟不超4.328亿美元收购英特尔手中IMS Nanofabrication约10%股权。

　　全部斥地的众束掩模写入器（MBMW）为28至5nm的掩模技艺节点供给精度和极高的分娩率。2014年2月，宇宙上第一台用于6英寸光掩模的众束掩模写入器 MBMW Alpha器械问世。2016年，MBMW的数据速度提升了10倍，抵达120 Gbit/s。截至2016 年，IMS 从来为掩模行业供给MBMW-101掩模写入器分娩器械，用于 7 纳米技艺节点。

　　株式会社CRESTEC于1995年正在东京建立以还从来一心于EBL技艺。举动宇宙上为数不众的EBL装备专业创制商之一，活着界限制内EBL光刻机的贩卖实绩仍旧进步100台。其创制的电子束光刻机以其奇特的专业技艺，超高的电子束平静性，电子束定位精度以及拼接套刻精度获得了宇宙上闻名科研机构以及半导体公司的青睐。个中 CABL 系列更是宇宙上仅有的产物之一。通过日本丰港株式会社正在东亚及北美地域邦度发展营业，告竣产物着名度擢升也会用户处理了实质需求。

　　CRESTEC CABL 系列采用专业的恒温职掌体系，使得全体主体系的温度连结恒定，再加上主体系内部缜密传感装备，使得电子束电流平静性，电子束定位平静性，电子束电流散布均一性都取得了极大的提升，其本能目标远远高于其它厂家的同类产物，正在长达5小时的时期内，电子束电流和电子束定位极度平静，电子束电流散布也极度均一。

　　因为EBL刻写精度很高，因而写满全体 Wafer 须要对照长的时期，因而电子束电流，电子束定位， 电子束电流散布均一性正在长时期内的平静性就显得尤为紧要，这对大限制内的图形制备极度枢纽。CRESTEC CABL 系列采用其独有的技艺使其具有极高的电子束平静性以及电子束定位精度，正在大限制内可能告竣图形的高精度拼接和套刻。

　　Vistec Electron Beam集团是打算、分娩电子束光刻体系的邦际顶级企业，为前沿电子束光刻周围供给尖端技艺处理计划。Vistec集团正在德邦和美邦具有分娩基地，正在美邦、欧洲、中邦、日本、台湾和韩邦设有技艺任事核心。集团包罗两一面，德邦耶拿的Vistec电子束有限公司重要分娩成形电子束光刻体系。美邦纽约密执安的Vistec光刻公司重要分娩高斯圆形束电子束光刻体系。

　　Vistec的光刻体系是以可变样子光束（VSB）道理为主，个中行使强度平均散布的可变样子和尺寸的电子束正在基材上光刻光阻图案（也称为曝光或写入）。其它可行使更庞杂的电子束样子即客制固定样子举行曝光，十分是行使这些技艺能加疾电子束的写入速率。基于可变异形光束（VSB）的道理，这些体系可用于各类直接布局化，比如正在硅和化合物半导体晶圆上直接天生布局，用于光掩模的分娩以及集成光学和光子学的操纵。可变样子光束光刻体系重要用于操纵钻研、掩模和玻璃基板市集以及半导体行业。

　　Vistec的电子束光刻体系正在半导体创制中被广博操纵，用于芯片的制备和加工，包罗先辈的逻辑芯片、存储芯片、传感器芯片等。目前重要型号包罗VISTEC SB3050-2和SB254。Vistec SB3050-2 是一款基于可变样子光束的高阔别率电子束光刻体系，可告竣 300 mm 晶圆和 9 英寸掩模的全部曝光。Vistec SB254是一款通用的 VSB 电子束光刻体系，可全部曝光最大200 mm晶圆和 7”掩模。

　　NuflareNuFlare(中文：株式会社纽富来科技)正在2002年8月建立，是从东芝机器剥离出来的企业，2018年， 他们的贩卖额为587亿日元，员工人数为626人。NuFlare位于日本的神奈川线，重要的产物是半导体分娩装备。个中掩膜光刻装备(40-45亿日元/台)占贩卖额的90%。

　　1976年12月，以电子束掩膜光刻装备为核心的半导体创制装备营业的技艺从株式会社东芝移交给东芝机器株式会社。1984年6月，公司与株式会社东芝归纳钻研所笼络实现Variable Shaped Beam（可变形电子光束）型首台机——电子束掩膜光刻装备“EBM-130V”。1998年，通过与株式会社东芝的笼络项目，斥地Variable Shaped Beam（可变形电子光束）型电子束掩膜光刻装备EBM-3000，并举行产物化，成为了首台商用机，对应电途径nm。斥地并投产也许应对90nm制程的电子束掩膜光刻装备EBM-4000，并举行产物化（至此为东芝机器株式会社半导体装备奇迹部）。2002年，株式会社纽富来科技整个秉承东芝机器株式会社半导体装备奇迹部的营业，并下手发展营业。2004年，NuFlare斥地应对电途径年，斥地并投产EBM-7000（应对32nmhp制程）。2011年，斥地并投产EBM-8000（应对14nmTN/22nmhp制程）。2013年，斥地并投产EBM-9000（应对10nmTN制程）。2019年，斥地并投产EBM-9500PLUS（应对TN5nm/7nm+制程），并斥地EBM-8000P（应对14/16nm、22-45nmhp制程）。2022年，斥地并投产MBM™-2000（应对3nmTN制程）。

　　NuFlare重要是由东芝机器与东芝合股建立的半导体先辈制程装备，重要产物线是光罩微显影及缺陷检测。Nuflare底本是于1997年举动分娩和贩卖印刷装备、制纸装备的东芝机器冲压工程装备公司建立，2002年从东芝机器秉承了半导体分娩装备营业，并下手了奇迹。与东芝集团的本钱联系始于2002年东芝收购Nuflare的大凡股份，其后迟缓提升出资比例，到2012年成为东芝的联系子公司。

　　早前，东芝发布要将NuFlare全体拿下，但却半路杀出了个程咬金HOYA。HOYA正在半导体例程中所行使的光罩基板具有 7 成以上市占，此外该公司也有供给光罩处理计划。若HOYA能得到NuFlare Technology的规划权，将为该公司带来强健助力。因而自 2017 年之后，HOYA 就已经众次向NuFlare Technology敲门，期望取得团结机缘。

　　为此正在东芝于2019 年 11 月 13 日时发布，要以每股 1.19 万日圆的价钱来公然收购子公司 NuFlare Technology 的股票，但HOYA 正在股票收购价钱的设定上，硬是比东芝所开出的条目胜过了 1 千日圆。这就给东芝的收购带来挫折。正在过程了几个月的拉锯战之后，东芝毕竟将这家创制企业收归囊中。

　　MultibeamMultibeam Corporation总部位于加利福尼亚州圣克拉拉，是领先的Multicolumn电子束光刻技艺（MEBL）斥地商。Multibeam斥地了微型全静电柱，用于电子束光刻。电子束柱阵列同时并行职责，可能提升晶圆加工速率。

　　Multibeam正在紧凑的模块中以阵列的局势罗列其微型柱。阵列中的每一个小列发生一束电子束，职掌其样子和轨迹，并将其聚焦到晶圆上以写入电途图案。阵列中的全数列都独立并行写入，以正在分娩境遇中告竣空前绝后的电子束写入速率。

　　MEBL的神速，可扩展的直写是由一个专有的数据绸缪体系。因为MEBL是无掩模的，DPS将行业法式GDSII或Oasis式子的数据库（个中存储了每层和全数层的IC组织数据）连结到全数MEBL列职掌器。每一个MEBL列职掌器分辨指点其电子束正在晶圆上书写图案，全数这些都是同时举行的。

　　每个模块包罗众排阵列、缜密晶圆台和高精度反应职掌，这些高精度反应职掌与高精度光刻所需的其他传感器和子体系无缝集成。小型MEBL装备模组占地面积（约2英尺×2.5英尺）约为等离子蚀刻装备模组的巨细，使其与商用晶圆统治大型机台兼容，并简化了众个模组的集。

　　JC Nabity自上世纪八十年代建立以还，美邦JC Nabity Lithography Systems公司从来努力于基于商品SEM、STEM或FIB的电子束光刻装备的研制，其研发的纳米图形发作器体系（Nanometer Pattern Generation System纳米图形发作体系，简称NPGS，又称电子束微影体系）技艺正在环球同类体系中属于俊彦之作，宇宙各地越来越众的用户包罗大学、科研机构及政府实行室正在行使NPGS举行EBL钻研职责.

　　为满意纳米级电子束曝光央浼，JC Nabity出品的NPGS体系打算了一个纳米图形发作器和数模转换电途，并采用电脑职掌。电脑通过图形发作器和数模转换电途驱动SEM等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并职掌束闸的开合。通过NPGS可能对法式样片举行图像收集及扫描场的校正。配合缜密定位的工件台，还可能告竣曝光场的拼接和套刻。诈骗配套软件也可能新修或导入众种通用式子的曝光图形。

　　NPGS技艺以电子显微镜为本原，供给了一个效用强健且操作轻便的电子束曝光体系。真相上，NPGS可能操纵到任何SEM, STEM或FIB以告竣电子束光刻技艺举动本原钻研及技艺斥地。市集上还没有其他扫描电镜电子束曝光体系可能像NPGS一律供给既神速且高精度的电子束光刻技艺，而且行使本钱有了很大水准的消重。

　　Mapper2019年1月28日，荷兰光刻机创制商ASML官方发布，收购其角逐敌手荷兰代尔夫特的光刻机创制商Mapper的学问产权资产。同时，ASML的官方声明中还写到，将为Mapper正在研发和产物安装方面的高才能员工供给符合的位置。

　　举动ASML的角逐敌手，Mapper正在2018年12月份被证据正式发布崩溃，公司具有270名员工和繁众电子束光刻罗网联的IP。Mapper已经认为本身找到了半导体创制行业的痛点，无奈研发才能跟不上，最终错过了好机缘。

　　Mapper为了消重芯片创制商正在掩模上的高亢用度，以及让光刻冲破光波长的节制，拔取行使电子束取代光源。电子束具有很高的阔别率、较大的焦深与天真性。Mapper装备通过行使电子束书写而不再须要掩模，让芯片本钱希望告竣昭彰消重。不过，电子束也有本身的缺陷，即是速率比光源光刻要慢许众，Mapper通过大批增进电子束的数目来处理这个困难。

　　但跟着ASML正在EUV光刻技艺上的告捷，以及Mapper电子束光刻的研发碰到了窘境，ASML拿到了高端光刻机市集的绝大一面份额。Mapper一蹶不振以致于崩溃被收购资产。

　　IBM20世纪70年代，单点高斯束电子束光刻体系下手逐步取代怠缓的光机器图形发作器，成为半导体工业掩模制备的首选技艺。同有时期，IBM公司开创了样子束的观念，后续进一步提出并告竣了目前广博操纵于物业界的变形束电子束光刻技艺，使得电子束光刻的加工效劳取得极大的提升。不过因为电子之间的库伦彼此效率使得电子束束斑含糊，节制了电子束束流和加工效劳的进一步提升。因而为了削减库伦彼此效率，后续20世纪90年代IBM与尼康团结提出了基于掩模的众束平行电子束投影曝光计划：PREVAIL（具有可变轴浸没透镜的电子束缩小成像技艺）。

　　该技艺由IBM的Hans Pfeiffer头领的电子束钻研团队最早钻研斥地，与尼康的团结旨正在用这项技艺研制高阔别率与高分娩率同一的电子束步进机。正在PREVAIL样机上，电子轰击钽单晶变成电子束，正在中心掩模上变成1mm

　　子场，经电子透镜发生4∶1缩小图像；正在片子上变成250μm2图形，电子束经弧线可变轴电子透镜（CVAL）正在掩模平面上可偏移±10mm，正在片子上则为±2.5mm，而掩模和片子同时毗连搬动，变成全体电途图形的曝光。正在PREVAIL样机上用75 KV加快电压，用700nm厚的光胶，做80nm间隔线mm，曝光结果证据：偏移束和不偏移束变成的图像很少有区别，进一步说明了这种道理的可行性。Nikon的Kazuya Okamoto指出：现正在光胶和掩模已不是重要题目，而今正在努力于大的发射源、平均的掩模照明和具有大子场、大偏移、对掩模热负荷小的低畸变透镜，这种电子束步进机将用于100nm曝光，并可延长到50nm，产量>

　　20片/时（300mm片）。2003年，尼康向Selete交付了第一台基于PREVAIL技艺的NCR-EB1A电子束步进器。它正在单次拍摄中曝光了蕴涵 1000 万像素的图案片断，并代外了大领域并行像素投影的初次告捷演示。然而，跟着浸没式光刻的神速履行，电子投影光刻（EPL）的机缘之窗仍旧合上，行业的兴会仍旧搬动到无掩模光刻（ML2）上。

　　Zyvex Labs 有两个标的：1) 斥地 APM；2) 斥地微细加工和 3D 微拼装技艺。该公司的 MEMS 技艺是正在 Zyvex 为期 5 年、耗资 2500 万美元的 NIST ATP 项目时刻斥地的，目前正用于创制微型科学仪器，比如微型扫描电子显微镜和微型原子力显微镜，以及下一代纳米探测体系。

　　KLA-TencorKLA-Tencor 具有一种他们称之为 REBL 的技艺：反射电子束光刻。该技艺最初由DARPA资助。但目前正在众电子束直写周围，众个动静开头注解，KLA-Tencor正正在退出该市集，一心于其主旨检测和计量器械营业。

　　REBL体系示企图。电子源通过磁性棱镜照亮数字形式发作器（DPG）。来自DPG的反射电子界说了要曝光的图案，它们再次穿过磁性棱镜，从而将它们与照明束区别。然后将DPG图像缩小并投影到晶片上。

　　贝尔实行室上世纪90年代，除了IBM与尼康团结分辨提出了PREVAIL的基于掩模的众束平行电子束投影曝光计划外，贝尔实行室也提出了SCALPEL（具有角度节制的投影式电子束光刻技艺）计划。

　　1999年，一群半导体器件和装备创制商发布了一项笼络和说，旨正在加快将SCALPEL技艺斥地为分娩光刻处理计划，以构修下一代集成电途。该谋划的列入者包罗ATMT和ASML的合股企业eLithTM LLC；朗讯科技公司；摩托罗拉半导体产物部分；三星电子有限公司和德州仪器（TI）。

　　但正在两年后，ATMT 和 ASML断定完结eLith LLC（建立14个月，旨正在SCALPEL技艺贸易化），快速转向极紫外技艺（EUV）举动下一代光刻处理计划。

　　中邦科学院电工钻研所由中邦科学院电工钻研所接受的中科院学问更始工程宏大项目——“纳米级电子束曝光体系适用化”正在2005年通过了专家验收。

　　该项目对准邦内急需的电子束曝光装备，正在攻陷适用化样罗网键技艺本原上，研制了3台以扫描电镜(SEM)为本原，装备以激光定位缜密工件台、DSP为主旨的众效用图形发作器、职掌用微型盘算机、真空体系、职掌软件和主动输片机构的新型纳米级电子束曝光体系，供科研单元用于纳米科技和半导体前沿钻研，满意我邦科研机构和邦防征战须要。

　　正在该项目正在钻研历程中，科研职员们还斥地了3项具有自助学问产权的更始性枢纽技艺。个中，斥地的主旨部件——以数字信号统治器(DSP)为主旨，以Windows2000为操作体系的通用图形发作器，正在自助研制数字信号统治和软件体系方面得到了宏大冲破。该图形发作器可接纳GDSII、CIF、DXF图形数据，并可与SEM、扫描探针显微镜(SPM)、聚焦离子束(FIB)连结，履行曝光或加工，告竣高精度图形拼接和套刻。正在实现历程中，已将纳米通用图形发作器推向了市集，为我邦纳米科技钻研做出了紧要进献。

　　其它，电工所微纳加工技艺与智能电气装备钻研部自行研制了邦内首台圆形电子束曝光体系、微米级可变矩形电子束曝光体系和缩小投影电子束曝光体系；研制的纳米级适用化电子束曝光体系和图形发作器正在邦度纳米科学技艺核心、清华大学、台湾大学等三十余家科研机构取得操纵。中邦科学院电工钻研所还和北京中科科仪股份有限公司团结研制了小型电子束曝光机DY-2000A。

　　中邦电子科技集团公司第四十八钻研所中邦电子科技集团公司第四十八钻研所（简称48所），建立于1964年，附属于中邦电子科技集团有限公司。

　　48所的电子束曝光技艺,是正在1969年北京696工程会战的本原上，内迁长沙而开展起来的。修因此还，从来开展以三束(电子束、离子束、分子束)为主的微细加工技艺,研制束加工技艺、薄膜技艺、热工技艺等装备和钻研相合操纵工艺。电子束曝光机，正在1975年研制出第一代适用产物，1982年研制出第二代适用产物。这两代产物都于1975年、1982年先后交给电子部13所行使，为该所创制微波器件、GaAs场效应器件及其它微细线条图形起到了紧要效率。而四十八所2005年通过验收的DB-8型号电子束曝光装备，对应0.13μm的半导体例程，处于邦内先辈秤谌。

　　深圳量子科学与工程钻研院深圳量子科学与工程钻研院（以下简称深圳量子院）前身是于 2016 年建立的南方科技大学量子科学与工程钻研所，该钻研所 2017 年升格为南方科技大学量子科学与工程钻研院。钻研院于 2018 年 1 月 19 日挂牌建立，由深圳市科创委专项增援、依托南方科技大学征战，院长为中邦科学院院士俞大鹏教化。

　　据解析，缠绕主旨枢纽技艺研发，钻研院先后接受了众项枢纽科研设备的研制攻合劳动，五年来合计申请邦外里专利超 120 项，个中 34 项已取得授权。个中，电子束曝光机研发团队笼络北京大学和中科科仪等单元，先后研制告捷三套 30kV 电子束曝光机试验样机。

　　泽攸科技不日，松山湖质料实行室缜密仪器笼络工程核心物业化项目研发再获新冲破：项目团队告捷研制出电子束光刻体系，正在全自助电子束光刻机整机的斥地与物业化历程中得到阶段性转机，开头告竣了电子束光刻机整机的自助可控，记号着邦产电子束光刻机研发与物业化迈出枢纽一步。

　　为了研制具有自助学问产权的电子束光刻机整机，缜密仪器研发团队正在松山湖质料实行室实现一期项目研发并建立物业化公司后，带资回到实行室进入“滚动开展”形式：物业化公司东莞泽攸缜密仪器有限公司与实行室配合投资2400万元举行第二阶段研发，标的是打制集科研与物业化为一体的电子束设备技艺更始基地。通过深刻发展电子束与新质料交叉周围的前沿技艺研发，告竣枢纽设备和共性技艺的自助可控，准确擢升我邦正在电子束加工与制备周围的满堂更始才能和物业角逐力。

　　目前，东莞泽攸缜密仪器有限公司已基于自助研制的扫描电镜主机，实现电子束光刻机工程样机研制，并发展效用验证职责。通过对测试样片的曝光分娩，可能绘制出高阔别率的庞杂图形。下一步，团队及物业化公司将继续美满电子束光刻机的本能目标，使其抵达批量操纵及物业化的央浼。

　　电子束曝光机是半导体创制的本原装备，固然市集较小，但各泰半导体装备巨头纷纷通过收购等体例组织，其紧要性显而易见。

　　满堂来看，邦际龙头企业正在技艺和市集上都处于主导身分，以至进入物业化阶段，行业也仍旧履历了众轮的整合收购，技艺成熟且先辈，邦产取代难度大。而邦内电子束曝光机技艺途径对照简单，研发断代紧要，与物业操纵差异较大，仍重要面向科研市集。

　　而今，最新一轮的邦产电子束曝光机研发潮仍旧到临，研发态势也由过去的科研院所大会战形式转向企业笼络科研院所的市集角逐形式。但列入的企业普及建立较晚，出货的产物不众，大一面仍处于早期研发阶段，但邦产破局曙光初现。

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